TSI 是德语 "Total-Space-Charge" 的缩写，意思是“总空间电荷”，在物理学和电子学中，TSI 通常指的是一种测量技术，用于确定半导体材料中的载流子浓度（即电子和空穴的数量），这种技术对于理解和分析半导体材料的电学性质至关重要。

TSI 技术基于一个基本原理：当半导体材料受到光照时，其内部会产生电子-空穴对，这些载流子会在材料中移动，形成电流，通过测量这个电流，可以推断出载流子的浓度，TSI 技术通常用于研究半导体材料的性能，如太阳能电池、发光二极管（LED）和其他光电器件。

TSI 技术的优点在于它可以提供关于半导体材料内部结构的详细信息，这对于优化和改进这些材料的性能非常重要，这种技术也有一些局限性，例如它可能无法提供关于载流子迁移率的信息，这是描述载流子在材料中移动速度的一个关键参数。

TSI 是一种重要的测量技术，用于研究半导体材料的电学性质，虽然它有一些局限性，但它仍然是理解和分析半导体材料性能的重要工具。